屏幕上出现了一个晶体管的三维结构图。

鳍片高耸,栅极像三面墙壁一样包裹着沟道。

“目前主流7nm工艺,基本都采用FinFEt架构。

FinFEt,就是鳍式场效应晶体管。

电流在鳍片里流动,栅极三面包围,控制能力比平面的好。”

“但到了7nm以下,鳍片越来越窄,量子隧穿效应开始显现,漏电越来越难压。”

沈飞抬起手,轻轻一划,屏幕上的结构图慢慢变形,变成另一种结构。

“所以业界在讨论新方向,GAA,全环绕栅极。

让沟道变成纳米片,栅极四面全包。”

他顿了一下。

“我们的hx-5N,虽然还在FinFEt架构下,但我们在鳍片形状、应力工程和功函数调节层上做了全新设计。”

“尤其是功函数调节层,我们用了双层金属栅极叠构。

这层结构,能大幅降低漏电,同时提升开关速度。”

沈飞指着屏幕上的一个放大图。

“这个结构,据我所知,目前只有华星和台积电做过量产验证。

只不过台积电是给水果做的,我们是给自己做的。”

同时台积电原本没有当回事的工程师,在看到这些话后瞬间重视了起来?

这确实是他们的方向,而且这个工艺不仅能解决5nm的问题,甚至对接下来4nm、3nm工艺的未来发展有巨大的帮助。

说起来他们一个个都重视了许多,而沈飞也轻轻咳嗽了一下。

“所以,这颗天星850。

我可以保证,哪怕是在同样5nm节点下,动态功耗比友商低18%,静态漏电低27%。”

“这和设计有关,和工艺也有关。

两者,都是华星自己搞的。”

沈飞语气平缓,甚至有点轻描淡写。

但正是因为这种语气,让很多人越发明白一个事实。

华星在芯片这块,领先的不是一点半点,而是可以用友商余大嘴说过的一句话:遥遥领先

“好了,差不多就到这里。

再讲下去,估计友商的法务部门今晚就要加班了。”

他笑了笑,台下但也跟着有些人笑不出来。

某家正在重组供应链的友商,会议室里没有人讨论技术,学只有在那里不停地学习

“5nm工艺华星是最快做出来的,是自研工程,技术全面领先。”

沈飞说完最后一句,目光扫过镜头,像是在看着谁。

“这句话不是我说的,是市场会证明的。”

“这句话我不会收回,回头留着看。”

话音刚落,现场爆发出热烈的掌声。

有些华星粉丝直接站了起来,用力鼓掌。
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